Zapisujemy podany wzór na natężenie prądu $I$   płynącego przez odbiornik:

$I=n\cdot q_0\cdot S\cdot v$

$n$ - koncentracja nośników ładunku,

$q_0$ - ładunek każdego nośnika,

$S$ - przekrój poprzeczny materiału,

$v$ - szybkość dryfu nośników.

• Przewodnik

Kiedy temperatura przewodnika rośnie jego sieć krystaliczna wykonuje coraz silniejsze drgania, co utrudnia swobodny przepływ elektronów. Dodatkowo bezwładny ruch cieplny elektronów również bardziej utrudnia ich przepływ w ustalonym kierunku. Zatem szybkość dryfu nośników $v$   maleje i natężenie prądu $I$   przepływającego przez przewodnik maleje. Przy ustalonym napięciu obserwujemy rosnący opór przewodnika.

• Półprzewodnik

Kiedy temperatura półprzewodnika rośnie elektrony związane z atomami w sieci krystalicznej uzyskują wystarczającą energię by oderwać się od atomu i stać się elektronami przewodnictwa. Zatem koncentracja nośników ładunku $n$   rośnie i natężenie prądu $I$   przepływającego przez półprzewodnik rośnie. Ze wzrostem temperatury również i w półprzewodnikach maleje szybkość dryfu elektronów swobodnych, ale wzrost koncentracji nośników jest zjawiskiem dominującym i w efekcie opór półprzewodników maleje przy ustalonym napięciu.