a) W tranzystorze bipolarnym grubość emitera jest około 10 razy mniejsza od grubości kolektora i bazy.

 

b) W tranzystorze bipolarnym najmocniej jest domieszkowany obszar kolektora, a najsłabiej emitera.

 

c) W tranzystorze bipolarnym najmniej swobodnych nośników prądu znajduje się w obszarze emitera.

 

d) Jeśli między emiterem a kolektorem zostanie przyłożone napięcie, to przez tranzystor nie popłynie prąd elektryczny.